硫硒化钼晶体 MoSSe (Desileneto de sulfeto de molibdênio)
晶体尺寸：~6毫米
电学性能：半导体
晶体结构：六边形
晶胞参数：取决于合金成分： a = b = 0,31 -0,33 nm e c = 1,21 -1,29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型：合成
晶体纯度： ＞99.995%

Difração de raios-X em um único cristal MoSSe alinhado ao longo do plano (001). A DRX foi realizada a temperatura ambiente usando um D8 Venture Bruker. Os 5 picos XRD correspondem, da esquerda para a direita, a (00l) com l = 2, 4, 6, 8, 10

Difração de raios-X em pó (DRX) de um único cristal MoSSe. A difração de raios-X foi realizada a temperatura ambiente usando um D8 Venture Bruker.

Análise estoquiométrica de um único cristal MoSSe por espectroscopia de raios-X dispersiva de energia (EDX).

Espectro Raman de um único cristal MoSSe. A medição foi realizada com um sistema Raman de 785 nm a temperatura ambiente.